Name: BSM180C12P2E202
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: BSM180C12P2E202-ND
Price: 649.8213 EUR
Availability: OutOfStock

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BSM180C12P2E202
Número de produto da DigiKey	BSM180C12P2E202-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	BSM180C12P2E202
Descrição	SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Tempo de espera previsto do fabricante	22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 204A (Tc) 1360W (Tc) Montagem em chassis Módulo
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	BSM180C12P2E202 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Bandeja
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	204A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds on (máx.) para Id, Vgs	-
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 35,2mA
Vgs (máx.)	+22V, -6V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	20000 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1360W (Tc)
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em chassis
Invólucro do dispositivo fornecido	Módulo
Pacote / Invólucro	Módulo
Número base de produto	BSM180

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