BSM300D12P2E001
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BSM300D12P2E001
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM300D12P2E001

Número de produto da DigiKey
BSM300D12P2E001-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
BSM300D12P2E001
Descrição
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE
Tempo de espera previsto do fabricante
22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 300A (Tc) 1875W Montagem em chassis Módulo
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
BSM300D12P2E001 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Rohm Semiconductor
Séries
-
Embalagem
Bandeja
Part Status
Ativo
Tecnologia
Carboneto de silício (SiC)
Configuração
2 canais N (meia ponte)
Característica FET
-
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
300A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
-
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 68mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
-
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
35000pF a 10V
Potência - Máx.
1875W
Temperatura de operação
-40°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Montagem em chassis
Pacote / Invólucro
Módulo
Invólucro do dispositivo fornecido
Módulo
Número base de produto
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