GNP1070TC-ZE2 Rohm Semiconductor | Produtos semicondutores discretos

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

GNP1070TC-ZE2
Número de produto da DigiKey	846-GNP1070TC-ZE2TR-ND - Fita e carretel (TR) 846-GNP1070TC-ZE2CT-ND - Fita cortada (CT) 846-GNP1070TC-ZE2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	GNP1070TC-ZE2
Descrição	ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 20A (Tc) 56W (Tc) Montagem em superfície DFN8080K
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	GaNFET (nitreto de gálio)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	20A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 5,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	98mOhm a 1,9A, 5,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,4V a 18mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	5.2 nC @ 6 V
Vgs (máx.)	+6V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	200 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	56W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	DFN8080K
Pacote / Invólucro	8-PowerDFN
Número base de produto	GNP1070