Name: HP8M31TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HP8M31TB1TR-ND
Price: 3.3333 EUR
Availability: InStock

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HP8M31TB1
Número de produto da DigiKey	HP8M31TB1TR-ND - Fita e carretel (TR) HP8M31TB1CT-ND - Fita cortada (CT) HP8M31TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	HP8M31TB1
Descrição	MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
Tempo de espera previsto do fabricante	21 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 60V 8,5A (Ta) 3W (Ta) Montagem em superfície 8-HSOP
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	HP8M31TB1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	Canal N e P
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	8,5A (Ta)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	65mOhm a 8,5A, 10V, 70mOhm a 8,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	12,3nC a 10V, 38nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	470pF a 30V, 2300pF a 30V
Potência - Máx.	3W (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Invólucro do dispositivo fornecido	8-HSOP
Número base de produto	HP8M31