Name: HP8MA2TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HP8MA2TB1TR-ND
Price: 2.8905 EUR
Availability: InStock

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HP8MA2TB1
Número de produto da DigiKey	HP8MA2TB1TR-ND - Fita e carretel (TR) HP8MA2TB1CT-ND - Fita cortada (CT) HP8MA2TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	HP8MA2TB1
Descrição	MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 30V 18A (Ta), 15A (Ta) 3W (Ta) Montagem em superfície 8-HSOP
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	HP8MA2TB1 Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 22nC a 10V, 25nC a 10V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1100pF a 15V, 1250pF a 15V
Part Status Ativo	Potência - Máx. 3W (Ta)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Configuração Canal N e P	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 18A (Ta), 15A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-HSOP
Rds on (máx.) para Id, Vgs 9,6mOhm a 18A, 10V, 17,9mOhm a 15A, 10V	Número base de produto HP8MA2