Name: HT8KC5TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-HT8KC5TB1TR-ND
Price: 1.7466 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

HT8KC5TB1
Número de produto da DigiKey	846-HT8KC5TB1TR-ND - Fita e carretel (TR) 846-HT8KC5TB1CT-ND - Fita cortada (CT) 846-HT8KC5TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	HT8KC5TB1
Descrição	MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8HSMT
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 60V 3,5A (Ta), 10A (Tc) 2W (Ta), 13W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 3,1nC a 10V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 135pF a 30V
Part Status Ativo	Potência - Máx. 2W (Ta), 13W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Configuração 2 canais N (duplo)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60V	Pacote / Invólucro PowerVDFN-8
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 3,5A (Ta), 10A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-HSMT (3,2x3)
Rds on (máx.) para Id, Vgs 90mOhm a 3,5A, 10V