Name: QS8M51TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS8M51TR-ND
Price: 2.214 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

QS8M51TR
Número de produto da DigiKey	QS8M51TR-ND - Fita e carretel (TR) QS8M51CT-ND - Fita cortada (CT) QS8M51DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	QS8M51TR
Descrição	MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 100V 2A, 1,5A 1,5W Montagem em superfície TSMT8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	QS8M51TR Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 4,7nC a 5V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 290pF a 25V, 950pF a 25V
Part Status Ativo	Potência - Máx. 1,5W
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Configuração Canal N e P	Tipo de montagem Montagem em superfície
Característica FET Porta de nível lógico	Pacote / Invólucro 8-SMD, condutores planos
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100V	Invólucro do dispositivo fornecido TSMT8
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 2A, 1,5A	Número base de produto QS8M51
Rds on (máx.) para Id, Vgs 325mOhm a 2A, 10V