R6024KNZ1C9 Rohm Semiconductor | Produtos semicondutores discretos

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R6024KNZ1C9
Número de produto da DigiKey	R6024KNZ1C9-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	R6024KNZ1C9
Descrição	MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 24A (Tc) 245W (Tc) Furo passante TO-247
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	R6024KNZ1C9 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	24A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	165mOhm a 11,3A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2000 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	245W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-247
Pacote / Invólucro	TO-247-3

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