Canal N 650 V 30A (Tc) 307W (Tc) Furo passante TO-220AB
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R6530KNX3C16

Número de produto da DigiKey
846-R6530KNX3C16-ND
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante
R6530KNX3C16
Descrição
MOSFET N-CH 650V 30A TO220AB
Tempo de espera previsto do fabricante
18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 650 V 30A (Tc) 307W (Tc) Furo passante TO-220AB
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Rohm Semiconductor
Séries
-
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
140mOhm a 14,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
5V a 960µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2350 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
307W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-220AB
Pacote / Invólucro
TO-220-3
Número base de produto
R6530
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Quantidade
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Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
15,26000 €5,26 €
502,84860 €142,43 €
1002,72970 €272,97 €
5002,45916 €1 229,58 €
Embalagem padrão do fabricante
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