Name: RD3L01BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3L01BATTL1TR-ND
Price: 1.7958 EUR
Availability: InStock

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RD3L01BATTL1
Número de produto da DigiKey	846-RD3L01BATTL1TR-ND - Fita e carretel (TR) 846-RD3L01BATTL1CT-ND - Fita cortada (CT) 846-RD3L01BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RD3L01BATTL1
Descrição	PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Tempo de espera previsto do fabricante	21 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 10A (Ta) 26W (Ta) Montagem em superfície TO-252
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RD3L01BATTL1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	10A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	84mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	15.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1200 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	26W (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	RD3L01