Name: RD3P02BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3P02BATTL1TR-ND
Price: 2.3862 EUR
Availability: InStock

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RD3P02BATTL1
Número de produto da DigiKey	846-RD3P02BATTL1TR-ND - Fita e carretel (TR) 846-RD3P02BATTL1CT-ND - Fita cortada (CT) 846-RD3P02BATTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RD3P02BATTL1
Descrição	PCH -100V -20A POWER MOSFET: RD3
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 100 V 20A (Tc) 56W (Tc) Montagem em superfície TO-252
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 39 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1480 pF @ 50 V
Tipo de FET Canal P	Dissipação de potência (máx.) 56W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 20A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Rds on (máx.) para Id, Vgs 116mOhm a 10A, 10V	Número base de produto RD3P02