Name: RD3S100AAFRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3S100AAFRATLTR-ND
Price: 4.0713 EUR
Availability: InStock

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RD3S100AAFRATL
Número de produto da DigiKey	846-RD3S100AAFRATLTR-ND - Fita e carretel (TR) 846-RD3S100AAFRATLCT-ND - Fita cortada (CT) 846-RD3S100AAFRATLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RD3S100AAFRATL
Descrição	MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 190 V 10A (Tc) 85W (Tc) Montagem em superfície TO-252
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 52 nC @ 10 V
Fabricante Rohm Semiconductor	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2000 pF @ 25 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 85W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 190 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 10A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252
Rds on (máx.) para Id, Vgs 182mOhm a 5A, 10V	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 1mA	Número base de produto RD3S100