Name: RF7G120BJFRATCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF7G120BJFRATCRTR-ND
Price: 1.6851 EUR
Availability: OutOfStock

Novo na DigiKey

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RF7G120BJFRATCR
Número de produto da DigiKey	846-RF7G120BJFRATCRTR-ND - Fita e carretel (TR) 846-RF7G120BJFRATCRCT-ND - Fita cortada (CT) 846-RF7G120BJFRATCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RF7G120BJFRATCR
Descrição	PCH -40V -12A, DFN2020Y8LSAA, PO
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 40 V 12A (Tc) 23W (Tc) Montagem em superfície, flanco impregnável DFN2020Y8LSAA
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 15.5 nC @ 10 V
Fabricante Rohm Semiconductor	Vgs (máx.) +5V, -20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 750 pF @ 20 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 23W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 40 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 12A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície, flanco impregnável
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido DFN2020Y8LSAA
Rds on (máx.) para Id, Vgs 49mOhm a 3A, 10V	Pacote / Invólucro PowerUDFN-6
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 279µA