Name: RH7L04CBJFRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RH7L04CBJFRATCBTR-ND
Price: 2.2017 EUR
Availability: InStock

Novo na DigiKey

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RH7L04CBJFRATCB
Número de produto da DigiKey	846-RH7L04CBJFRATCBTR-ND - Fita e carretel (TR) 846-RH7L04CBJFRATCBCT-ND - Fita cortada (CT) 846-RH7L04CBJFRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RH7L04CBJFRATCB
Descrição	PCH -60V -36A, DFN3333T8LSAB, PO
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 36A (Tc) 62W (Tc) Montagem em superfície DFN3333T8LSAB
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 35 nC @ 10 V
Fabricante Rohm Semiconductor	Vgs (máx.) +5V, -20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1850 pF @ 30 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 62W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 36A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido DFN3333T8LSAB
Rds on (máx.) para Id, Vgs 41mOhm a 20A, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 400µA