Name: RQ1E050RPTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ1E050RPTR-ND
Price: 1.4514 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RQ1E050RPTR
Número de produto da DigiKey	RQ1E050RPTR-ND - Fita e carretel (TR) RQ1E050RPCT-ND - Fita cortada (CT) RQ1E050RPDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RQ1E050RPTR
Descrição	MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 5A (Ta) 700mW (Ta) Montagem em superfície TSMT8
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	5A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	31mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1300 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	700mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TSMT8
Pacote / Invólucro	8-SMD, condutores planos
Número base de produto	RQ1E050