Name: RQ3E080BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E080BNTBTR-ND
Price: 0.6765 EUR
Availability: InStock

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RQ3E080BNTB
Número de produto da DigiKey	RQ3E080BNTBTR-ND - Fita e carretel (TR) RQ3E080BNTBCT-ND - Fita cortada (CT) RQ3E080BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RQ3E080BNTB
Descrição	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Tempo de espera previsto do fabricante	21 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 8A (Ta) 2W (Ta) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RQ3E080BNTB Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	15,2mOhm a 8A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	14.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	660 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2W (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-HSMT (3,2x3)
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Número base de produto	RQ3E080

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