



RQ3E100GNTB | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | RQ3E100GNTBTR-ND - Fita e carretel (TR) RQ3E100GNTBCT-ND - Fita cortada (CT) RQ3E100GNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | RQ3E100GNTB |
Descrição | MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT |
Tempo de espera previsto do fabricante | 16 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 30 V 10A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | RQ3E100GNTB Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | - | |
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 11,7mOhm a 10A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 2,5V a 1mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 7.9 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 420 pF @ 15 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 2W (Ta), 15W (Tc) | |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 8-HSMT (3,2x3) | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 0,60000 € | 0,60 € |
| 10 | 0,37200 € | 3,72 € |
| 100 | 0,23880 € | 23,88 € |
| 500 | 0,18140 € | 90,70 € |
| 1 000 | 0,16289 € | 162,89 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,13934 € | 418,02 € |
| 6 000 | 0,12748 € | 764,88 € |
| 9 000 | 0,12143 € | 1 092,87 € |
| 15 000 | 0,11464 € | 1 719,60 € |
| 21 000 | 0,11062 € | 2 323,02 € |
| 30 000 | 0,10671 € | 3 201,30 € |
| 75 000 | 0,10435 € | 7 826,25 € |
| Preço unitário sem VAT: | 0,60000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 0,73800 € |

