Canal N 30 V 12A (Ta) 2W (Ta), 16W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
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Canal N 30 V 12A (Ta) 2W (Ta), 16W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
8 HSMT

RQ3E120GNTB

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RQ3E120GNTBTR-ND - Fita e carretel (TR)
RQ3E120GNTBCT-ND - Fita cortada (CT)
RQ3E120GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer
Rohm Semiconductor
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RQ3E120GNTB
cms-description
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
cms-standard-lead-time
16 semanas
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Canal N 30 V 12A (Ta) 2W (Ta), 16W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
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RQ3E120GNTB Modelos
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cms-category
Fabricante
Rohm Semiconductor
Séries
-
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
12A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
8,8mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
590 pF @ 15 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
2W (Ta), 16W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
8-HSMT (3,2x3)
Pacote / Invólucro
PowerVDFN-8
Número base de produto
RQ3E120
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Em estoque: 9 725
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Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
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10,67000 €0,67 €
100,41800 €4,18 €
1000,26990 €26,99 €
5000,20596 €102,98 €
1 0000,18534 €185,34 €
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá 5,50 € de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
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3 0000,15913 €477,39 €
6 0000,14592 €875,52 €
9 0000,13919 €1 252,71 €
15 0000,13163 €1 974,45 €
21 0000,12715 €2 670,15 €
30 0000,12280 €3 684,00 €
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Preço unitário sem VAT:0,67000 €
Preço unitário com VAT:0,82410 €
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