Name: RQ3E150BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E150BNTBTR-ND
Price: 1.0332 EUR
Availability: InStock

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RQ3E150BNTB
Número de produto da DigiKey	RQ3E150BNTBTR-ND - Fita e carretel (TR) RQ3E150BNTBCT-ND - Fita cortada (CT) RQ3E150BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RQ3E150BNTB
Descrição	MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 15A (Ta), 39A (Tc) 2W (Ta), 17W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RQ3E150BNTB Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 45 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3000 pF @ 15 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 2W (Ta), 17W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 15A (Ta), 39A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-HSMT (3,2x3)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerVDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 5,3mOhm a 15A, 10V	Número base de produto RQ3E150

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Substitutos (1)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
TPH3R003PL,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	3 054	TPH3R003PLLQCT-ND	1,45000 €	Similar

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Fita e carretel (TR)

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Preço unitário sem VAT:	0,84000 €
Preço unitário com VAT:	1,03320 €

RQ3E150BNTB