Canal N 30 V 16A (Ta) 2W (Ta) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
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Canal N 30 V 16A (Ta) 2W (Ta) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
8 HSMT

RQ3E160ADTB

Número de produto da DigiKey
RQ3E160ADTBTR-ND - Fita e carretel (TR)
RQ3E160ADTBCT-ND - Fita cortada (CT)
RQ3E160ADTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante
RQ3E160ADTB
Descrição
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Tempo de espera previsto do fabricante
16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 30 V 16A (Ta) 2W (Ta) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
RQ3E160ADTB Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Rohm Semiconductor
Séries
-
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
16A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
4,5mOhm a 16A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2550 pF @ 15 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
8-HSMT (3,2x3)
Pacote / Invólucro
PowerVDFN-8
Número base de produto
RQ3E160
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Fita cortada (CT)
Quantidade Preço unitário Preço total
10,99000 €0,99 €
100,62000 €6,20 €
1000,40720 €40,72 €
5000,31566 €157,83 €
1 0000,28619 €286,19 €
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3 0000,24873 €746,19 €
6 0000,22988 €1 379,28 €
9 0000,22027 €1 982,43 €
15 0000,20977 €3 146,55 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:0,99000 €
Preço unitário com VAT:1,21770 €