Name: RQ3P045ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3P045ATTB1TR-ND
Price: 2.5092 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RQ3P045ATTB1
Número de produto da DigiKey	846-RQ3P045ATTB1TR-ND - Fita e carretel (TR) 846-RQ3P045ATTB1CT-ND - Fita cortada (CT) 846-RQ3P045ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RQ3P045ATTB1
Descrição	PCH -100V -14.5A POWER MOSFET: R
Tempo de espera previsto do fabricante	21 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 100 V 4,5A (Ta), 14,5A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4,5A (Ta), 14,5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	86mOhm a 4,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1990 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2W (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-HSMT (3,2x3)
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Número base de produto	RQ3P045