RQ3P300BETB1 Rohm Semiconductor | Produtos semicondutores discretos

RQ3P300BETB1 está obsoleto e não é mais fabricado.

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Em estoque: 3 390

Preço unitário : 1,45000 €

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

RQ3P300BETB1
Número de produto da DigiKey	RQ3P300BETB1TR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RQ3P300BETB1
Descrição	MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 10A (Ta), 36A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) Montagem em superfície 8-HSMT (3,2x3)
Modelos EDA / CAD	RQ3P300BETB1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR)
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	10A (Ta), 36A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	21mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 200µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	19.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1250 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2W (Ta), 32W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-HSMT (3,2x3)
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Número base de produto	RQ3P300