Name: RQ6E080AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6E080AJTCRTR-ND
Price: 1.3284 EUR
Availability: InStock

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RQ6E080AJTCR
Número de produto da DigiKey	RQ6E080AJTCRTR-ND - Fita e carretel (TR) RQ6E080AJTCRCT-ND - Fita cortada (CT) RQ6E080AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RQ6E080AJTCR
Descrição	MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 8A (Ta) 950mW (Ta) Montagem em superfície TSMT6 (SC-95)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RQ6E080AJTCR Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 1,5V a 2mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 16.2 nC @ 4.5 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±12V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1810 pF @ 15 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 950mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 8A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido TSMT6 (SC-95)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2,5V, 4,5V	Pacote / Invólucro SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Rds on (máx.) para Id, Vgs 16,5mOhm a 8A, 4,5V	Número base de produto RQ6E080

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