Name: RQ6E080AJTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6E080AJTCRTR-ND
Price: 1.2669 EUR
Availability: InStock

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RQ6E080AJTCR
Número de produto da DigiKey	RQ6E080AJTCRTR-ND - Fita e carretel (TR) RQ6E080AJTCRCT-ND - Fita cortada (CT) RQ6E080AJTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RQ6E080AJTCR
Descrição	MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 8A (Ta) 950mW (Ta) Montagem em superfície TSMT6 (SC-95)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RQ6E080AJTCR Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	8A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2,5V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	16,5mOhm a 8A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,5V a 2mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	16.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1810 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	950mW (Ta)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TSMT6 (SC-95)
Pacote / Invólucro	SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Número base de produto	RQ6E080