Name: RQ6E085BNTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6E085BNTCRTR-ND
Price: 1.599 EUR
Availability: InStock

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RQ6E085BNTCR
Número de produto da DigiKey	RQ6E085BNTCRTR-ND - Fita e carretel (TR) RQ6E085BNTCRCT-ND - Fita cortada (CT) RQ6E085BNTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RQ6E085BNTCR
Descrição	MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 8,5A (Tc) 1,25W (Tc) Montagem em superfície TSMT6 (SC-95)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RQ6E085BNTCR Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 32.7 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1350 pF @ 15 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 1,25W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 8,5A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido TSMT6 (SC-95)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Rds on (máx.) para Id, Vgs 14,4mOhm a 8,5A, 10V	Número base de produto RQ6E085