Name: RS1E200GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E200GNTBTR-ND
Price: 1.3776 EUR
Availability: InStock

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RS1E200GNTB
Número de produto da DigiKey	RS1E200GNTBTR-ND - Fita e carretel (TR) RS1E200GNTBCT-ND - Fita cortada (CT) RS1E200GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RS1E200GNTB
Descrição	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 20A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Montagem em superfície 8-HSOP
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RS1E200GNTB Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 16.8 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1080 pF @ 15 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 25W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 20A (Ta), 57A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-HSOP
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 4,6mOhm a 20A, 10V	Número base de produto RS1E

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Substitutos (1)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
BSC042N03LSGATMA1	Infineon Technologies	22 296	BSC042N03LSGATMA1CT-ND	1,28000 €	Similar

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Fita e carretel (TR)

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Preço unitário sem VAT:	1,12000 €
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