RS1G150MNTB Rohm Semiconductor | FET simples, MOSFETs

RS1G150MNTB
Número de produto da DigiKey	RS1G150MNTBTR-ND - Fita e carretel (TR) RS1G150MNTBCT-ND - Fita cortada (CT) RS1G150MNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RS1G150MNTB
Descrição	MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 15A (Ta), 43A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Montagem em superfície 8-HSOP
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RS1G150MNTB Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	15A (Ta), 43A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	10,6mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	930 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-HSOP
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	RS1G

Preço unitário sem VAT:	1,28000 €
Preço unitário com VAT:	1,57440 €

RS1G150MNTB