Name: RS1G201ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS1G201ATTB1TR-ND
Price: 3.7761 EUR
Availability: InStock

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RS1G201ATTB1
Número de produto da DigiKey	846-RS1G201ATTB1TR-ND - Fita e carretel (TR) 846-RS1G201ATTB1CT-ND - Fita cortada (CT) 846-RS1G201ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RS1G201ATTB1
Descrição	MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
Tempo de espera previsto do fabricante	21 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 40 V 20A (Ta), 78A (Tc) 3W (Ta), 40W (Tc) Montagem em superfície 8-HSOP
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	20A (Ta), 78A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	5,2mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	6890 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-HSOP
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	RS1G