Name: RYC002N05T316
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RYC002N05T316TR-ND
Price: 0.4305 EUR
Availability: InStock

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RYC002N05T316
Número de produto da DigiKey	RYC002N05T316TR-ND - Fita e carretel (TR) RYC002N05T316CT-ND - Fita cortada (CT) RYC002N05T316DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	RYC002N05T316
Descrição	MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Tempo de espera previsto do fabricante	21 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 50 V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Montagem em superfície SST3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	RYC002N05T316 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Rohm Semiconductor
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	50 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	200mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,2Ohm a 200mA, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	800mV a 1mA
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	26 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	350mW (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SST3
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número base de produto	RYC002

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