Name: SCT2H12NWBTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT2H12NWBTL1TR-ND
Price: 6.2361 EUR
Availability: InStock

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SCT2H12NWBTL1
Número de produto da DigiKey	846-SCT2H12NWBTL1TR-ND - Fita e carretel (TR) 846-SCT2H12NWBTL1CT-ND - Fita cortada (CT) 846-SCT2H12NWBTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante	SCT2H12NWBTL1
Descrição	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Tempo de espera previsto do fabricante	23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1700 V 3,9A (Tc) 39W (Tc) Montagem em superfície TO-263CA-7LSHYAD
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 410µA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 24 nC @ 18 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +22V, -6V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 197 pF @ 800 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 39W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carboneto de silício)	Temperatura de operação 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 1700 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 3,9A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-263CA-7LSHYAD
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 18V	Pacote / Invólucro TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,5Ohm a 1,1A, 18V