RGCL80TK60GC11
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
RGCL80TK60GC11
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2H12NZGC11

Número de produto da DigiKey
SCT2H12NZGC11-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
SCT2H12NZGC11
Descrição
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
Tempo de espera previsto do fabricante
27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 1700 V 3,7A (Tc) 35W (Tc) Furo passante TO-3PFM
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Séries
-
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1700 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
1,5Ohm a 1,1A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 900µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
14 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
184 pF @ 800 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-3PFM
Pacote / Invólucro
Número base de produto
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Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
15,95000 €5,95 €
303,38133 €101,44 €
1203,23892 €388,67 €
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