Canal N 1200 V 30A (Tc) 159W Montagem em superfície TO-263-7
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Canal N 1200 V 30A (Tc) 159W Montagem em superfície TO-263-7
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
SCT3 Series 3rd Gen SiC MOSFETs in 7-pin D2PAK Package

SCT3080KW7TL

Número de produto da DigiKey
846-SCT3080KW7TLTR-ND - Fita e carretel (TR)
846-SCT3080KW7TLCT-ND - Fita cortada (CT)
846-SCT3080KW7TLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de produto do fabricante
SCT3080KW7TL
Descrição
SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Tempo de espera previsto do fabricante
27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 1200 V 30A (Tc) 159W Montagem em superfície TO-263-7
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SCT3080KW7TL Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Rohm Semiconductor
Séries
-
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
30A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs
104mOhm a 10A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
5,6V a 5mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
60 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
785 pF @ 800 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
159W
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-263-7
Pacote / Invólucro
TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA
Número base de produto
SCT3080
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Fita cortada (CT)
Quantidade Preço unitário Preço total
115,55000 €15,55 €
1011,88500 €118,85 €
10010,88430 €1 088,43 €
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
1 00011,08909 €11 089,09 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:15,55000 €
Preço unitário com VAT:19,12650 €