
S2M0160120D | |
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Número de produto da DigiKey | 1655-S2M0160120D-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | S2M0160120D |
Descrição | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Tempo de espera previsto do fabricante | 12 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 1200 V 17A (Tc) 130W (Tc) Furo passante TO-247AD |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | - | |
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 196mOhm a 10A, 20V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 2,5mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 26.5 nC @ 20 V | |
Vgs (máx.) | +20V, -5V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 513 pF @ 1000 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 130W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Furo passante | |
Invólucro do dispositivo fornecido | TO-247AD | |
Pacote / Invólucro |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 4,49000 € | 4,49 € |
| 10 | 2,98500 € | 29,85 € |
| 300 | 1,86923 € | 560,77 € |
| 600 | 1,73652 € | 1 041,91 € |
| 1 200 | 1,66752 € | 2 001,02 € |
| Preço unitário sem VAT: | 4,49000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 5,52270 € |



