Name: SCT018H65G3-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT018H65G3-7TR-ND
Price: 16.4697 EUR
Availability: InStock

Novo na DigiKey

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SCT018H65G3-7
Número de produto da DigiKey	497-SCT018H65G3-7TR-ND - Fita e carretel (TR) 497-SCT018H65G3-7CT-ND - Fita cortada (CT) 497-SCT018H65G3-7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de produto do fabricante	SCT018H65G3-7
Descrição	SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
Tempo de espera previsto do fabricante	21 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 55A (Tc) 385W (Tc) Montagem em superfície H2PAK-7
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 27mOhm a 30A, 18V
Fabricante STMicroelectronics	Vgs(th) (máx.) para Id 4,2V a 5mA
Séries ECOPACK®	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 79.4 nC @ 18 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +18V, -5V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2124 pF @ 400 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 385W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carboneto de silício)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 55A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido H2PAK-7
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V	Pacote / Invólucro TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA