
SCT027HU65G3AG | |
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Número de produto da DigiKey | 497-SCT027HU65G3AG-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SCT027HU65G3AG |
Descrição | SIC MOSFET |
Tempo de espera previsto do fabricante | 22 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 60A (Tc) 300W (Tc) Montagem em superfície HU3PAK |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Granel | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 39,3mOhm a 30A, 18V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4,2V a 5mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 60.4 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +18V, -5V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1277 pF @ 400 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 300W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Grau | Automotivo | |
Qualificação | AEC-Q101 | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | HU3PAK | |
Pacote / Invólucro |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
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| 600 | 5,80905 € | 3 485,43 € |
| Preço unitário sem VAT: | 5,80905 € |
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| Preço unitário com VAT: | 7,14513 € |


