Name: SCT060HU75G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT060HU75G3AGTR-ND
Price: 13.53 EUR
Availability: InStock

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SCT060HU75G3AG
Número de produto da DigiKey	497-SCT060HU75G3AGTR-ND - Fita e carretel (TR) 497-SCT060HU75G3AGCT-ND - Fita cortada (CT) 497-SCT060HU75G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de produto do fabricante	SCT060HU75G3AG
Descrição	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 750 V 30A (Tc) 185W (Tc) Montagem em superfície HU3PAK
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SCT060HU75G3AG Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	STMicroelectronics
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	750 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	78mOhm a 15A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,2V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	29 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	680 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	185W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	HU3PAK
Pacote / Invólucro	TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA