SCT50N120 STMicroelectronics | FET simples, MOSFETs

SCT50N120
Número de produto da DigiKey	497-16598-5-ND
Fabricante	STMicroelectronics
Número de produto do fabricante	SCT50N120
Descrição	SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) Furo passante HiP247™
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SCT50N120 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	STMicroelectronics
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	65A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	69mOhm a 40A, 20V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	122 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+25V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1900 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	318W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 200°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	HiP247™
Pacote / Invólucro	TO-247-3
Número base de produto	SCT50

Preço unitário sem VAT:	23,61000 €
Preço unitário com VAT:	29,04030 €

SCT50N120