Name: SCTL90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTL90N65G2VTR-ND
Price: 32.6196 EUR
Availability: InStock

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SCTL90N65G2V
Número de produto da DigiKey	497-SCTL90N65G2VTR-ND - Fita e carretel (TR) 497-SCTL90N65G2VCT-ND - Fita cortada (CT) 497-SCTL90N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de produto do fabricante	SCTL90N65G2V
Descrição	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 40A (Tc) 935W (Tc) Montagem em superfície PowerFlat™ (8x8) HV
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SCTL90N65G2V Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 5V a 1mA
Fabricante STMicroelectronics	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 157 nC @ 18 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +22V, -10V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3380 pF @ 400 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 935W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carboneto de silício)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 40A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PowerFlat™ (8x8) HV
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 18V	Pacote / Invólucro 4-PowerVDFN
Rds on (máx.) para Id, Vgs 24mOhm a 40A, 18V