TO-247-3
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SCTW100N65G2AG

Número de produto da DigiKey
497-SCTW100N65G2AG-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
SCTW100N65G2AG
Descrição
SICFET N-CH 650V 100A HIP247
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 650 V 100A (Tc) 420W (Tc) Furo passante HiP247™
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SCTW100N65G2AG Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Séries
-
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
26mOhm a 50A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
5V a 5mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
162 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
3315 pF @ 520 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
420W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 200°C (TJ)
Grau
Automotivo
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido
HiP247™
Pacote / Invólucro
Número base de produto
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Em estoque: 471
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Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
128,34000 $28,34 $
3022,73867 $682,16 $
12022,50000 $2 700,00 $
Embalagem padrão do fabricante
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Preço unitário sem VAT:28,34000 $
Preço unitário com VAT:34,85820 $