Name: SCTW35N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTW35N65G2V-ND
Price: 7.70868 EUR
Availability: OutOfStock

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SCTW35N65G2V
Número de produto da DigiKey	497-SCTW35N65G2V-ND
Fabricante	STMicroelectronics
Número de produto do fabricante	SCTW35N65G2V
Descrição	SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 45A (Tc) 240W (Tc) Furo passante HiP247™
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SCTW35N65G2V Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	STMicroelectronics
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Última compra
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	45A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	18V, 20V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	67mOhm a 20A, 20V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	73 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1370 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	240W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 200°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	HiP247™
Pacote / Invólucro	TO-247-3
Número base de produto	SCTW35

Preço unitário sem VAT:	6,26722 €
Preço unitário com VAT:	7,70868 €

SCTW35N65G2V