SCTWA60N120G2-4 STMicroelectronics | FET simples, MOSFETs

SCTWA60N120G2-4
Número de produto da DigiKey	497-SCTWA60N120G2-4-ND
Fabricante	STMicroelectronics
Número de produto do fabricante	SCTWA60N120G2-4
Descrição	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) Furo passante TO-247-4
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SCTWA60N120G2-4 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	STMicroelectronics
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	52mOhm a 30A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	94 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1969 pF @ 800 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	388W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 200°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-247-4
Pacote / Invólucro	TO-247-4

Preço unitário sem VAT:	15,21000 €
Preço unitário com VAT:	18,70830 €

SCTWA60N120G2-4