Name: STD40P8F6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STD40P8F6AGTR-ND
Price: 2.4477 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

STD40P8F6AG
Número de produto da DigiKey	497-STD40P8F6AGTR-ND - Fita e carretel (TR) 497-STD40P8F6AGCT-ND - Fita cortada (CT) 497-STD40P8F6AGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de produto do fabricante	STD40P8F6AG
Descrição	MOSFET P-CH 80V DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	13 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 80 V 40A (Tc) 100W (Tc) Montagem em superfície TO-252 (DPAK)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	STD40P8F6AG Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	STMicroelectronics
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	40A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	28mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	73 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4112 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	100W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252 (DPAK)
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	STD40