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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
STH110N7F6-2 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | STH110N7F6-2-ND - Fita e carretel (TR) |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | STH110N7F6-2 |
Descrição | MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 68 V 80A (Tc) 176W (Tc) Montagem em superfície H2PAK-2 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | STH110N7F6-2 Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 68 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 6,3mOhm a 55A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 100 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 5850 pF @ 25 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 176W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | H2PAK-2 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Manufacturer Quote Required
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