Name: STH60N099DM9-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH60N099DM9-2AGTR-ND
Price: 6.5313 EUR
Availability: InStock

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STH60N099DM9-2AG
Número de produto da DigiKey	497-STH60N099DM9-2AGTR-ND - Fita e carretel (TR) 497-STH60N099DM9-2AGCT-ND - Fita cortada (CT) 497-STH60N099DM9-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de produto do fabricante	STH60N099DM9-2AG
Descrição	MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 27A (Tc) 179W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	STH60N099DM9-2AG Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4,5V a 250µA
Fabricante STMicroelectronics	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 44 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±30V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2140 pF @ 400 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 179W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 27A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-263 (D2PAK)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Rds on (máx.) para Id, Vgs 99mOhm a 13,5A, 10V