STP13NM60ND STMicroelectronics | Produtos semicondutores discretos

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

STP13NM60ND
Número de produto da DigiKey	497-13881-5-ND
Fabricante	STMicroelectronics
Número de produto do fabricante	STP13NM60ND
Descrição	MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 11A (Tc) 109W (Tc) Furo passante TO-220
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	STP13NM60ND Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	STMicroelectronics
Séries	FDmesh™ II
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	380mOhm a 5,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	24.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	845 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	109W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220
Pacote / Invólucro	TO-220-3
Número base de produto	STP13

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