Name: STQ1NK80ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-6197-3-ND
Price: 1.3653 EUR
Availability: InStock

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STQ1NK80ZR-AP
Número de produto da DigiKey	497-6197-1-ND - Fita cortada (CT) 497-6197-3-ND - Fita e caixa (TB)
Fabricante	STMicroelectronics
Número de produto do fabricante	STQ1NK80ZR-AP
Descrição	MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
Tempo de espera previsto do fabricante	13 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 800 V 300mA (Tc) 3W (Tc) Furo passante TO-92-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	STQ1NK80ZR-AP Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	STMicroelectronics
Séries	SuperMESH™
Embalagem	Fita cortada (CT) Fita e caixa (TB)
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	800 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	300mA (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	16Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 50µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	7.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	160 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-92-3
Pacote / Invólucro	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) condutores curvados
Número base de produto	STQ1NK80