
STW26N60M2 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | STW26N60M2-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | STW26N60M2 |
Descrição | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 20 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 600 V 20A (Tc) 169W (Tc) Furo passante TO-247-3 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | STW26N60M2 Modelos |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 34 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±25V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1360 pF @ 100 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 169W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Furo passante |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V | Invólucro do dispositivo fornecido TO-247-3 |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 165mOhm a 10A, 10V |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| R6022YNZ4C13 | Rohm Semiconductor | 587 | 846-R6022YNZ4C13-ND | 6,35000 € | Similar |
| SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | 282 | SCT3120ALGC11-ND | 9,05000 € | Similar |
| SIHG24N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 378 | 742-SIHG24N65E-GE3-ND | 6,16000 € | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 3,76000 € | 3,76 € |
| 10 | 2,47200 € | 24,72 € |
| 100 | 1,74130 € | 174,13 € |
| 600 | 1,40113 € | 840,68 € |
| 1 200 | 1,30540 € | 1 566,48 € |
| 2 400 | 1,22494 € | 2 939,86 € |
| 5 400 | 1,20335 € | 6 498,09 € |
| Preço unitário sem VAT: | 3,76000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 4,62480 € |

