Canal N 30 V 65A (Tc) 3W (Ta) Montagem em superfície 8-VSONP (5x6)
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Canal N 30 V 65A (Tc) 3W (Ta) Montagem em superfície 8-VSONP (5x6)

CSD17327Q5A

Número de produto da DigiKey
296-CSD17327Q5ATR-ND - Fita e carretel (TR)
296-CSD17327Q5ACT-ND - Fita cortada (CT)
296-CSD17327Q5ADKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Texas Instruments
Número de produto do fabricante
CSD17327Q5A
Descrição
MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON
Tempo de espera previsto do fabricante
6 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 30 V 65A (Tc) 3W (Ta) Montagem em superfície 8-VSONP (5x6)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
CSD17327Q5A Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Texas Instruments
Séries
NexFET™
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
65A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4,5V, 8V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
12,2mOhm a 11A, 8V
Vgs(th) (máx.) para Id
2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
3.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
506 pF @ 15 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
3W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
8-VSONP (5x6)
Pacote / Invólucro
PowerTDFN-8
Número base de produto
CSD17327
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Fita cortada (CT)
Quantidade Preço unitário Preço total
11,32000 €1,32 €
100,83200 €8,32 €
1000,55450 €55,45 €
5000,43528 €217,64 €
1 0000,39690 €396,90 €
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
2 5000,35536 €888,40 €
5 0000,32969 €1 648,45 €
7 5000,31661 €2 374,57 €
12 5000,31255 €3 906,88 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:1,32000 €
Preço unitário com VAT:1,62360 €