Name: CSD19536KTTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-41136-2-ND
Price: 7.7859 EUR
Availability: InStock

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CSD19536KTTT
Número de produto da DigiKey	296-41136-2-ND - Fita e carretel (TR) 296-41136-1-ND - Fita cortada (CT) 296-41136-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Texas Instruments
Número de produto do fabricante	CSD19536KTTT
Descrição	MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 200A (Ta) 375W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (DDPAK-3)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	CSD19536KTTT Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Texas Instruments
Séries	NexFET™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	200A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,4mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	153 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	12000 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	375W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263 (DDPAK-3)
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	CSD19536