Name: CSD19538Q3AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-44473-2-ND
Price: 2.0295 EUR
Availability: InStock

CSD19538Q3AT
Número de produto da DigiKey	296-44473-2-ND - Fita e carretel (TR) 296-44473-1-ND - Fita cortada (CT) 296-44473-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Texas Instruments
Número de produto do fabricante	CSD19538Q3AT
Descrição	MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 15A (Ta) 2,8W (Ta), 23W (Tc) Montagem em superfície 8-VSONP (3x3,3)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	CSD19538Q3AT Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Texas Instruments
Séries	NexFET™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	15A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	59mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,8V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	4.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	454 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,8W (Ta), 23W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-VSONP (3x3,3)
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Número base de produto	CSD19538

CSD19538Q3AT

Preço unitário sem VAT:	1,65000 €
Preço unitário com VAT:	2,02950 €