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Substitutos disponíveis:
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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
TPS1101DR | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | TPS1101DR-ND - Fita e carretel (TR) |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | TPS1101DR |
Descrição | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC |
Tempo de espera previsto do fabricante | 6 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal P 15 V 2,3A (Ta) 791mW (Ta) Montagem em superfície 8-SOIC |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | TPS1101DR Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | - | |
Embalagem | Fita e carretel (TR) | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 15 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2,7V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 90mOhm a 2,5A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 1,5V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 11.25 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | +2V, -15V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 791mW (Ta) | |
Temperatura de operação | -40°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 8-SOIC | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Disponível para pedido
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Fita e carretel (TR)
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,98431 € | 2 460,78 € |
| Preço unitário sem VAT: | 0,98431 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 1,21070 € |
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